Nachdem Samsung bereits im Herbst vergangenen Jahres das NVMe-Line-up erneuerte ist nun mit der Samsung 870 EVO auch ein Nachfolger für die weiterhin sehr beliebten SATA-SSDs aus der 800er-Serie erschienen. Während sich die SSD rein optisch kein bisschen verändert hat, sieht dies im Inneren etwas anders aus. Mit neuem Controller und neuem V-NAND möchte man noch mehr Leistung bieten. Im Test haben wir die 2TB-Version, die ab sofort zur UVP von 269 € erhältlich ist, genau unter die Lupe genommen.
Bei der 800er-Serie handelt es sich wie bereits erwähnt um SSDs im 2,5″-Format, die auf die SATA-Schnittstelle setzen. Trotz zunehmender Verbreitung von NVMe-SSDs im M.2-Format sind diese weiterhin sehr beliebt. Samsung setzt bei der 870 EVO weiterhin auf TLC-NAND. Gegenüber dem Vorgänger macht dieser aber einen Sprung von Version 4 zu 6. Der Controller wurde ebenfalls erneuert, man setzt nun auf den MKX-Controller, der auch schon bei der 870 QVO zum Einsatz kam, die Größe des DRAM Cache ist dagegen gleich geblieben. Auch die TBW-Werte und die Garantiedauer von bis zu 5 Jahren bleiben unverändert.
Gegenüber dem Vorgänger haben sich die Werte für sequenzielles Lesen und Schreiben noch einmal um 10 MB/s erhöht, womit man nun bei 560 bzw. 530 MB/s angelangt und das Limit der SATA-Schnittstelle wohl bald erreicht ist. Weiterhin wirbt man mit hohen IOPS-Werten.
Technische Daten
| Hardware Informationen | Schnitstelle | SATA 6 Gb/s, kompatibel mit SATA 3 Gb/s & 1.5 Gb/s | ||||
| Kapazität | 250GB | 500GB | 1TB | 2TB | 4TB | |
| Controller | Samsung MKX Controller | |||||
| NAND Flash-Speicher | Samsung V-NAND 3bit MLC | |||||
| DRAM Cache-Speicher | 512MB LPDDR4 | 1GB LPDDR4 | 2GB LPDDR4 | 4GB LPDDR4 | ||
| Formfaktor | 2,5 Zoll | |||||
| Maximale Performance | Sequenzielles Lesen | 560 MB/s | ||||
| Sequenzielles Schreiben | 530 MB/s | |||||
| 4KB Ran. Read (QD1) | 13.000 IOPS | |||||
| 4KB Ran. Write (QD1) | 36.000 IOPS | |||||
| 4KB Ran. Read (QD32) | 98.000 IOPS | |||||
| 4KB Ran. Write (QD32) | 88.000 IOPS | |||||
| Energiebedarf (typisch) | Idle (DIPM eingeschaltet) | 30 mW | 30 mW | 30 mW | 35 mW | 35 mW |
| Bei Aktivität (durchschnittlich) | 2.0W/2.2W | 2.0W/2.2W | 2.0W/2.5W | 2.0W/2.5W | 2.0W/2.5W | |
| Device Sleep (DVSLP) | 2.5 mW | 2.5 mW | 3.0 mW | 4.5 mW | 6.5 mW | |
| Zuverlässigkeit | MTBF | 1,5 Millionen Stunden | ||||
| Garantie | TBW (Total Bytes Written) | 150 TB | 300 TB | 600 TB | 1.200 TB | 2.400 TB |
| Garantiedauer | 5 Jahre eingeschränkt | |||||
| Unterstützte Funktionen | TRIM (benötigt Betriebssystem-Unterstützung), Garbage Collection, S.M.A.R.T | |||||
| Datensicherheit | AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667) | |||||
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