Samsung V7 QLC: 3. Generation des QLC-NAND-Flash mit 4 Bit pro Speicherzelle

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Samsung hat im Rahmen des Samsung Tech Day 2021 die nunmehr dritte Generation QLC-NAND-Flash mit 4 Bit pro Speicherzelle angekündigt. In Kombination mit dem 176-Layer-Dessing resultiert dies in der Samsung V7 QLC in einem deutlich höheren Arbeitstempo. Samsung V7 QLC wird schneller QLC-NAND mit 4 Bit pro Zelle kommt bei Samsung bereits seit drei Jahren … (Weiterlesen...)
 
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