Klassisches NAND-Flash ist bereits heute in bestimmten Einsatzfeldern nicht mehr zeitgemäß. Die Flash-Alternative Optane ist jedoch nur in wenige Geräte integriert. Samsung bringt nun mit Z-NAND eine weitere Alternative auf den Markt. Die SSD soll zunächst mit Kapazitäten von 240 und 800 Gigabyte erscheinen. Sie richtet sich vor allem an Nutzer von High-Performance-Computing und KI-Anwendungen.
Offiziell soll die SSD auf der ISSCC 2018 in San Francisco präsentiert werden – genauere Informationen werden also frühestens am 11. Februar veröffentlicht werden. Bereits heute sind jedoch einige Details bekannt. So ist wahrscheinlich nur eine PCIe-Steckkarte, die mit vier PCIe-3.0-Lanes angebunden werden soll, geplant. Darüber hinaus gab Samsung bekannt, eigens für die Z-SSD einen Controller entwickelt zu haben, der von 1,5 GByte schnellem DRAM unterstützt wird.
Gegenüber Flash-Speicher mit 3D-TLC-Speicher sollen die verwendeten Zellen eine zehnfach höhere Performance beim Lesen erreichen. Die Z-SSD erreicht somit bis zu 750.000 IOPS beim Lesen. Auch die Latenz beim Schreiben soll mit 16 µs sehr gering sein, die Leistung beim Schreiben soll bei 170.000 IOPS liegen. Insgesamt ist die Z-SSD somit deutlich schneller und leistungsfähiger als herkömmliche SSDs.
